產品概述：

●專門用于硅-碳化合物（SiC）的氧化處理，可實現SiC片在高溫真空環境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用濕法氧化氣體或N2O、NO、NO2，采用雙真空系統，是最安全的毒性氣體氧化爐。

產品簡介：

●設備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環節

●加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度

產品特點：

●采用立式結構、工藝控制好、溫度分布均勻、氣流穩定

●Robot自動傳送（可選）

●多點控溫，溫度均勻

●具有多種報警功能及安全保護功能

●加熱腔與工藝腔獨立密閉設計，提供工藝腔的潔凈度

技術指標：

●晶片尺寸：4/6/8英寸

●工作溫度范圍：800-1500 ℃

●裝片量：50片

應用范圍：

●用于SiC基半導體材料的高溫氧化處理