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LPCVD(立式/臥式)
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發布日期:2022-04-26
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詳細介紹



產品概述:

●LPCVD設備是半導體集成電路制造的重要設備之一,主要用于多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的生長,它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜。LPCVD過程是在低壓下進行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,此外基片可以豎放使得設備裝片量大,特別適用于工業化生產。

●立式LPCVD采用鐘罩式結構,設計嵌套腔體機械手傳片組件、舟旋轉組件,具有占地面積小、成膜均勻性高、工藝穩定性高等優點。主要用于二氧化硅、摻雜多晶硅、氮化硅膜層的制備工藝。



產品特點

●全自動傳送,定位精準,穩定可靠

●高潔凈度工藝環境,有效控制污染

●成膜均勻性高

●溫度控制采用串級控制方式,對基片實際溫度進行實時智能控制

●裝載采用碳化硅(SiC)懸臂槳,避免了與工藝管磨擦產生粉塵

●工作壓力閉環自動控制,提高工藝穩定性和重復性



技術指標

●晶片類型:2-8英寸晶圓

●工作溫度范圍:500℃-1000℃

●恒溫區長度:≥860mm

●控溫精度:±1℃



應用范圍:

●廣泛用于半導體行業中的薄膜制備,包括石墨烯、二氧化硅、硼磷硅玻璃、氮化硅、摻雜多晶硅等多種薄膜。

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